| 主权项 |
1.一种封装保护结构,设于一基底上,该基底表面设 有有一电路元件,而该封装保护结构则系覆盖于该 电路元件及该基底上,该封装保护结构包含有: 一第一类钻碳(diamond-like carbon, DLC)膜,覆盖于该电 路元件之上表面与侧壁以及该基底表面上,用来当 作该封装保护结构之最下层; 一缓冲层(buffer layer),设于该第一类钻碳膜之上;以 及 一第二类钻碳膜,覆盖于该缓冲层以及部分之该第 一类碳钻膜上,用来当作该封装保护结构之最上层 ; 其中该第二类钻碳膜与该第一类钻碳膜系构成一 回路结构。 2.如申请专利范围第1项之封装保护结构,其中该封 装保护结构之厚度约为10至50000埃()。 3.如申请专利范围第1项之封装保护结构,其中该第 一类钻碳膜与该第二类钻碳膜的厚度均约为10至 50000埃()。 4.如申请专利范围第1项之封装保护结构,其中该第 二类钻碳膜之覆盖面积大于该缓冲层之覆盖面积 。 5.如申请专利范围第1项之封装保护结构,其中该缓 冲层系包含有溶剂型或无溶剂型之热固化材料或 UV固化材料。 6.如申请专利范围第1项之封装保护结构,其中该缓 冲层系包含有热蒸镀高分子材料。 7.如申请专利范围第1项之封装保护结构,其中该缓 冲层系包含有类钻碳膜与高分子材料所构成之材 料结构。 8.如申请专利范围第1项之封装保护结构,其中该缓 冲层系包含有无机材料与高分子材料所构成之材 料结构。 9.如申请专利范围第1项之封装保护结构,其中该第 一类钻碳膜系用来提供一导热之功能,以将该显示 单元产生之热量传导至该第二类钻碳膜,而该第二 类钻碳膜系用来提供一抗磨耗以及散热之功能。 10.如申请专利范围第1项之封装保护结构,其中该 回路结构系用来作为该电路元件的散热结构。 11.如申请专利范围第1项之封装保护结构,其中该 电路元件系为一显示单元。 12.如申请专利范围第11项之封装保护结构,其中该 显示单元系为一有机发光显示单元。 13.如申请专利范围第12项之封装保护结构,其中该 有机发光显示单元另包含有一共轭高分子( conjugated polymer)层,以及二导电层,分别位于该共轭 高分子层之上方及下方。 14.如申请专利范围第1项之封装保护结构,其中该 第一一类钻碳膜之覆盖面积大于该缓冲层之覆盖 面积。 图式简单说明: 图一为习知封装保护结构的剖面示意图。 图二为本发明之封装保护结构的剖面示意图。 图三为图二中封装保护结构的局部放大图。 图四为本发明之封装保护结构的俯视图。 |
