| 主权项 |
1.一种使用于微电子半导体工业中之铝或铝合金 导电材料层之机械化学抛光方法,其特征在于该铝 或铝合金层系使用包含未经由矽氧烷键彼此键结 之个体化胶态氧化矽颗粒之硷性水性悬浮液、氢 氧化四烷基铵及氧化剂之磨蚀性组成物磨蚀;该未 经由矽氧烷键彼此键结之个体化胶态氧化矽颗粒 之硷性水性悬浮液之pH系自10.5至11;该组成物之胶 态氧化矽磨蚀性颗粒之平均直径包含在35毫微米 及50毫微米之间;该组成物之磨蚀性颗粒之重量浓 度包含在25及35%之间;且该未经由矽氧烷键彼此键 结之个体化胶态氧化矽颗粒之安定剂系为氢氧化 四甲基铵、氢氧化四乙基铵或氢氧化四丙基铵。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中,该氢氧化四 烷基铵之量相对于起始氧化矽包含在0.1重量百分 比及1重量百分比之间。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中,该氢氧化四 烷基铵之量相对于起始氧化矽大约为0.4重量百分 比。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中,该氧化剂系 选自氯酸盐、过氯酸盐、亚氯酸盐、碘酸盐、硝 酸盐、硫酸盐、过硫酸盐、过氧化物、臭氧化水 及过氧化氢。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中,该氧化剂系 为过氧化氢。 6.如申请专利范围第5项之方法,其中,经稀释至30% 之过氧化氢在该磨蚀性组成物中之量相对于全体 之该磨蚀性组成物包含在0.5及10体积百分比之间 。 7.如申请专利范围第5或6项之方法,其中,经稀释至 30%之过氧化氢在该磨蚀性组成物中之量相对于全 体之该磨蚀性组成物大约为7.5体积百分比。 8.一种用于机械化学抛光使用于微电子半导体工 业中之铝或铝合金导电材料之磨料,其特征在于其 包括含未经由矽氧烷键彼此键结之个体化胶态氧 化矽颗粒之硷性水性悬浮液、氢氧化四烷基铵及 氧化剂之磨蚀性组成物;该未经由矽氧烷键彼此键 结之个体化胶态氧化矽颗粒之硷性水性悬浮液之 pH系自10.5至11;该组成物之胶态氧化矽磨蚀性颗粒 之平均直径包含在35毫微米及50毫微米之间;该组 成物之磨蚀性颗粒之重量浓度包含在25及35%之间; 且该未经由矽氧烷键彼此键结之个体化胶态氧化 矽颗粒之安定剂系为氢氧化四甲基铵、氢氧化四 乙基铵或氢氧化四丙基铵。 |
