| 主权项 |
1.一种源极追随装置,系作为一电压缓冲装置,该源 极追随装置包括: 一第一电流源,其一端连接至一高电位,另一端连 接至一输出端点; 一第一电晶体,其源极连接至该输出端点,其闸极 连接至一输入端点; 一第二电流源,其一端连接至一低电位,另一端连 接至该第一电晶体的汲极; 一第二电晶体,其汲极连接至该输出端点,其源极 连接至该低电位; 一第三电流源,其一端连接至一高电位,另一端连 接至该第二电晶体之闸极;以及 一第三电晶体,其源极连接至该第二电晶体之闸极 ,其闸极连接至该第一电晶体之汲极,其汲极连接 至该低电位; 其中该第二电晶体的闸极-源极电压与第三电晶体 的闸极-源极电压互相抵销,以增加该第一电晶体 输入端的电压摆幅。 2.如申请专利范围第1项所述之源极追随装置,其中 该第一电晶体系一PMOS电晶体所构成。 3.如申请专利范围第2项所述之源极追随装置,其中 该第一PMOS电晶体系一原生PMOS电晶体。 4.如申请专利范围第3项所述之源极追随装置,其中 第二电晶体系一NMOS电晶体。 5.如申请专利范围第4项所述之源极追随装置,其中 该第三电晶体系一PMOS电晶体。 6.一种源极追随装置,系作为一电压缓冲装置,该源 极追随装置包括: 一第一电流源,其一端连接至一高电位; 一第一电晶体,其汲极连接至该第一电流源的另一 端,其闸极连接至一输入端点,其源极连接至一输 出端点; 一第二电流源,其一端连接至一低电位,另一端连 接至该输出端点; 一第二电晶体,其汲极连接至该输出端点,其源极 连接至该高电位; 一第三电流源,其一端连接至一低电位,另一端连 接至该第二电晶体之闸极;以及 一第三电晶体,其源极连接至该第二电晶体之闸极 ,其闸极连接至该第一电晶体之汲极,其汲极连接 至该高电位; 其中该第二电晶体的闸极-源极电压与第三电晶体 的闸极-源极电压互相抵销,以增加该第一电晶体 输入端的电压摆幅。 7.如申请专利范围第6项所述之源极追随装置,其中 该第一电晶体系一NMOS电晶体所构成。 8.如申请专利范围第7项所述之源极追随装置,其中 该第一NMOS电晶体系一原生NMOS电晶体。 9.如申请专利范围第8项所述之源极追随装置,其中 第二电晶体系一PMOS电晶体。 10.如申请专利范围第9项所述之源极追随装置,其 中该第三电晶体系一NMOS电晶体。 图式简单说明: 图1系习知源极追随装置之电路图。 图2系习知另一源极追随装置之电路图。 图3系本发明之源极追随装置之电路图。 图4系本发明之源极追随装置另一实施例之电路图 。 |
