| 主权项 |
1.一种为了曝光半导体晶圆的周边部的晶圆周边 曝光装置,包括: 一光学部,朝向半导体晶圆的周边部照射曝光光; 一检测器,检测该周边部的高度;以及 一焦点位置调整机构,根据该检测器的检测値而调 整从该光学部发出的曝光光的焦点位置。 2.如申请专利范围第1项所述的晶圆周边曝光装置 其中该检测器更包括: 一焦点检测器,用以检测出该光学部和该周边部之 间的距离;以及 该焦点位置调整机构,用以为了要使从该光学部所 被发出的曝光光的焦点和该周边部的表面高度一 致般地而调整该曝光光的焦点位置。 3.如申请专利范围第1或2项所述的晶圆周边曝光装 置,其中该焦点位置调整机构更包括: 一位置调整机构,用以调整该光学部和该周边部的 相对位置。 4.如申请专利范围第1或2项所述的晶圆周边曝光装 置,其中该焦点位置调整机构更包括: 一变焦(zoom)机构,用以调整从该光学部被发出的曝 光光的焦点距离。 5.一种为了曝光半导体晶圆的周边部的晶圆周边 曝光方法,包括: 一检测步骤,检测半导体晶圆的周边部的高度; 一调整步骤,根据该周边部的高度,调整朝向该周 边部的被照射的曝光光的焦点位置;以及 一曝光步骤,在该调整步骤后,朝向该周边部而照 射曝光光。 6.如申请专利范围第5项所述的晶圆周边曝光方法, 其中该检测步骤更包括: 检测发出曝光光的光学部和该周边部之间的距离; 以及 该调整步骤更包括: 一焦点调整步骤,使从该光学部所被发出的曝光光 的焦点和该周边部的表面高度一致般地而调整该 曝光光的焦点位置。 7.如申请专利范围第6项所述的晶圆周边曝光方法, 其中该焦点调整步骤更包括: 调整该光学部和该周边部的相对位置的步骤。 8.如申请专利范围第6项所述的晶圆周边曝光方法, 其中该焦点调整步骤更包括: 驱动该光学部具有的变焦机构而调整该曝光光的 焦点距离的步骤。 图式简单说明: 第1图是本发明的第1实施例的晶圆周边曝光装置 的主要部的示意图。 第2图是关于实施第1实施例的晶圆周边曝光装置 的一连串的处理的内容的流程图。 第3图是将半导体装置的任意的层(第i层)当作是对 象而实行一般的处理的流程图。 第4(A)图至第4(B)图是说明经由薄化(thinner)的周边 部被除去的光阻的状态的示意图。 第5图是以第4图的光阻为罩幕而进行蚀刻制程的 场合而被形成的状态的示意图。 第6(A)图至第6(B)图是为了说明经由周边曝光处理 以及显影处理的周边部被除去的光阻的状态的示 意图。 第7图是以第6图的光阻为罩幕而进行蚀刻制程的 场合而被形成的状态的示意图。 第8图是为了说明习知的晶圆周边曝光方法的问题 点(一例)的示意图。 第9图是为了说明习知的晶圆周边曝光方法的问题 点(另一例)的示意图。 |
