发明名称 一种可靠预测碲镉汞光电响应截止波长的非接触实验方法
摘要 一种可靠预测HgCdTe光电响应截止波长的非接触实验方法,系综合运用透射、光电流、光调制反射和光致发光多种光谱表征手段,对77K温度下材料的截止能量进行研究。结果表明:由于缺陷/杂质能级的存在,使传统的透射光谱不能准确预测材料的光电响应截止波长;而根据经验公式估算的材料截止波长则通常偏短。红外光调制反射光谱是非接触性检测方法,又因为它与光电流谱的三阶导数谱相似,可以作为一种可靠预测材料光电响应截止波长的非接触检测手段。
申请公布号 CN1995974A 申请公布日期 2007.07.11
申请号 CN200610148066.0 申请日期 2006.12.27
申请人 中国科学院上海技术物理研究所 发明人 邵军;吕翔;陆卫;吴俊;越方禹;黄炜;李宁;何力;褚君浩
分类号 G01N21/25(2006.01);G01J3/00(2006.01) 主分类号 G01N21/25(2006.01)
代理机构 上海新天专利代理有限公司 代理人 田申荣
主权项 1、一种可靠预测HgCdTe光电响应截止波长的非接触实验方法,其特征在于:结合基于傅立叶红外变换光谱仪的光电流、透射、光调制反射和光致发光多种光谱表征,对77K温度下砷掺杂的窄禁带Hg1-xCdxTe材料的系统研究。
地址 200083上海市虹口区玉田路500号