| 发明名称 | 包括具有自旋灵敏度的稀磁半导体的隧道结势垒层 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有隧穿势垒层的磁隧道结，其中所述隧穿势垒层包括具有自旋灵敏度的稀磁半导体。根据本发明该磁隧道结可包括耦合到底电极的底引线，该底电极耦合到稀磁半导体，该稀磁半导体耦合到顶电极，该顶电极耦合到顶引线，其中所述底电极是非磁的。本发明还提供采用根据本发明的磁隧道结的各种部件和计算机。 | ||
| 申请公布号 | CN1998084A | 申请公布日期 | 2007.07.11 |
| 申请号 | CN200580017054.8 | 申请日期 | 2005.05.23 |
| 申请人 | NM斯平特罗尼克公司 | 发明人 | 弗雷德里克·古斯塔夫森 |
| 分类号 | H01L29/66(2006.01);G11C11/16(2006.01) | 主分类号 | H01L29/66(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 1.一种具有隧穿势垒层的磁隧道结，其特征在于所述隧穿势垒层包括具有自旋灵敏度的稀磁半导体。 | ||
| 地址 | 瑞典斯德哥尔摩 | ||