发明名称 |
启动电路 |
摘要 |
本发明公开了一种启动电路,包括晶体管M(34)、M(3)及M(4),所述晶体管M(34)的栅极与晶体管M(4)的漏极连接,漏极与外接电路连接,源极与低电压Vss连接,晶体管M(4)与外接电路的晶体管M(0)连接接收启动电路的控制信号,晶体管M(3)及M(4)的源极分别与高电压Vdd及低电压Vss连接,所述电路还包括晶体管M(42),所述晶体管M(42)串接在晶体管晶体管M(3)与晶体管M(4)之间。本发明的启动电路在晶体管M(3)与晶体管M(4)之间串接晶体管M(41)及M(42),增大了启动电路的阻抗,减小电路处于非零电流稳态时经过晶体管M(3)及M(4)的静态电流,从而降低功耗。 |
申请公布号 |
CN1996756A |
申请公布日期 |
2007.07.11 |
申请号 |
CN200610157723.8 |
申请日期 |
2006.12.25 |
申请人 |
深圳安凯微电子技术有限公司 |
发明人 |
索武生;肖丹 |
分类号 |
H03K17/22(2006.01);H03K17/687(2006.01);G05F3/08(2006.01) |
主分类号 |
H03K17/22(2006.01) |
代理机构 |
深圳中一专利商标事务所 |
代理人 |
张全文 |
主权项 |
1、一种启动电路,包括晶体管M(34)、M(3)及M(4),所述晶体管M(34)的栅极与晶体管M(4)的漏极连接,晶体管M(34)漏极与外接电路连接,源极与低电压Vss连接,晶体管M(4)与外接电路的晶体管M(0)连接接收启动电路的控制信号,晶体管M(3)及M(4)的源极分别与高电压Vdd及低电压Vss连接,其特征在于,所述电路还包括晶体管M(42),所述晶体管M(42)串接在晶体管晶体管M(3)与晶体管M(4)之间。 |
地址 |
518057广东省深圳市南山区高新技术产业园南区深圳市数字技术园A3栋2层 |