半导体薄膜及半导体装置的制造方法、半导体装置、集成电路、电光学装置及电子机器

摘要

本发明提供一种半导体薄膜以及半导体装置的制造方法。该方法是在二层硅膜之间设置具有贯通孔的绝缘膜，通过激光照射使硅膜部分熔化，从连接贯通孔的绝缘膜的下层侧的硅膜的至少一部分经过该贯通孔直到绝缘膜的上层侧的至少一部分，形成连续的基本单结晶硅膜。由于绝缘膜的贯通孔直径可以与成为在绝缘膜下层侧的硅膜上生成的多结晶的一个的结晶粒的大小相同或稍小，所以只要比用以往的方法形成的孔的直径大的贯通孔便可充分达到要求。这样就不必要使用昂贵的精密的曝光装置、蚀刻装置。而且能够容易地在如大型液晶显示器等那样的大型基片上形成多个高性能的半导体装置。

主权项

1.一种半导体薄膜的制造方法，具备：在第1绝缘膜上形成第1非晶体硅膜的工序；在第1非晶体硅膜上形成第2绝缘膜，并在该第2绝缘膜的面内的规定位置上形成贯通孔的工序，所述贯通孔的直径与第1非晶体硅膜上产生的多个结晶粒的一个结晶粒的大小相同或稍小；通过在所述第2绝缘膜上和所述贯通孔内堆积非晶体硅，在第2绝缘膜上形成第2非晶体硅膜的工序；通过对所述第2非晶体硅膜进行激光照射，使所述第2非晶体硅膜形成完全熔化的状态，并且使所述第1非晶体硅膜处于部分熔化状态，将以所述第2非晶体硅膜面内的所述贯通孔为中心的区域构成基本单结晶状态的硅膜的工序。