具有源极连接的场板的宽带隙场效应晶体管

摘要

一种场效应晶体管包含依次形成于衬底上的缓冲层与沟道层。源极(18)、漏极(20)、及栅(22)皆形成电接触于该沟道层，且该栅位于该源极与漏极的之间。间隔层(26)形成于该栅与漏极之间的沟道层的至少一部分表面上，并且场板(30)形成于该间隔层上且隔离于该栅与沟道层。该场板(30)间隔层通过至少一个导电路径电连接到该源极，其中该场板减小该MESFET内的峰值工作电场。

主权项

1.一种金属半导体场效应晶体管(MESFET)，它包含：缓冲层，它位于衬底上；沟道层，它位于所述缓冲层上，且所述缓冲层被夹置于所述沟道层和所述衬底之间；源极，它与所述沟道层电接触；漏极，它也与所述沟道层电接触；栅，其与所述源极和所述漏极之间的所述沟道层电接触；间隔层，它位于所述栅与所述漏极之间的所述沟道层的至少一部分之上；以及场板，它单独位于所述间隔层上且与所述沟道层和栅相隔离，所述场板通过至少一个导电路径电连接到所述源极。