发明名称 |
具有高阻加热膜的微流体喷射装置 |
摘要 |
一种用于微流体喷头的半导体衬底,该衬底包含多个置于该衬底上的流体喷射执行器,每个流体喷射执行器包括薄膜加热元件栈,它包含薄膜加热元件和一个或多个与该加热元件相邻的保护层。该薄膜加热元件由具有纳晶结构的氮化钽铝薄膜材料构成,该材料主要由AlN、TaN和TaAl合金组成,该薄膜材料具有范围约为每平方30到100欧姆的薄膜电阻,并且包含约30到70原子百分比的钽、10到40原子百分比的铝和5到30原子百分比的氮。 |
申请公布号 |
CN1997519A |
申请公布日期 |
2007.07.11 |
申请号 |
CN200580002856.1 |
申请日期 |
2005.01.20 |
申请人 |
莱克斯马克国际公司 |
发明人 |
布龙·V·贝尔;罗伯特·W·克耐尔;关一民;乔治·K·帕里什 |
分类号 |
B41J2/05(2006.01) |
主分类号 |
B41J2/05(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
康建忠 |
主权项 |
1.一种用于微流体喷头的半导体衬底,该衬底包含多个置于该衬底上的流体喷射执行器,每个流体喷射执行器包括薄膜加热元件栈,该薄膜加热元件栈包含薄膜加热元件和一个或多个与该加热元件相邻的保护层,其中,所述薄膜加热元件由具有纳晶结构的氮化钽铝薄膜材料构成,该材料主要由AlN、TaN和TaAl合金组成,该薄膜材料具有范围约为每平方30到100欧姆的薄膜电阻,并且包含约30到70原子百分比的钽、约10到40原子百分比的铝和约5到30原子百分比的氮。 |
地址 |
美国肯塔基州 |