发明名称 晶圆及其切割方法
摘要 本发明公开了一种晶圆及其切割方法,首先,提供第一基板及第二基板,接着,在第二基板的背面形成数个校准记号,以形成两参考坐标轴。然后,配对组合第一基板及第二基板而成为晶圆,第二基板的正面是与第一基板的下表面配对组合。之后,切割第一基板以形成数个第一刀痕,再依据两参考坐标轴切割第二基板,以形成与第一刀痕相对的数个第二刀痕。由于校准记号形成的参考坐标轴代替了传统整体切割第一基板及第二基板而形成的参考坐标轴,因此,本发明的晶圆及其切割方法简化了切割晶圆的流程,缩短了切割的时间,并减少刀具的耗损。
申请公布号 CN1994712A 申请公布日期 2007.07.11
申请号 CN200610002549.X 申请日期 2006.01.06
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 陈建宇
分类号 B28D5/00(2006.01);H01L21/78(2006.01) 主分类号 B28D5/00(2006.01)
代理机构 上海开祺知识产权代理有限公司 代理人 唐秀萍
主权项 1.一种晶圆的切割方法,其特征在于:所述方法包括以下过程:提供一第一基板及一第二基板,在所述第二基板的背面形成若干个校准记号,从而形成两参考坐标轴;配对组合所述第一基板及第二基板而成为一晶圆,其中第二基板的正面是与第一基板的下表面配对组合;切割所述第一基板而形成若干个第一刀痕,并依据所述两参考坐标轴切割第二基板,而形成与所述第一刀痕相对应的若干第二刀痕。
地址 中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号