在光掩膜中修正临界尺寸偏差的方法

摘要

一种修正晶片图形线的临界尺寸偏差的方法，光掩膜由透明的具有两个完全相反表面——一个背面和一个正面的透明的感光底层组成，感光底层上的正面具有吸收覆盖层，感光底层上的图形线通过去除吸收覆盖层而形成。该方法包括：在与光掩膜相关联的晶片曝光域测定CD偏差，提供遮蔽元件在光掩膜的感光底层区域中，该区域与CD偏差测定高于预先确定的目的值的晶片曝光域相关联，遮蔽元件削弱光通过该区域，以致修正晶片上的CD偏差因而供给和改善了晶片的CD容许量。

主权项

1、一种通过修正相关联的光掩膜的临界尺寸来修正晶片图形线的临界尺寸偏差的方法，光掩膜由透明的具有两个完全相反表面—一个背面和一个正面的感光底层组成，感光底层上的正面具有吸收覆盖层，感光底层上的图形线通过去除吸收覆盖层而形成，该方法包括：在与光掩膜相关联的晶片曝光域测定CD偏差；提供遮蔽元件在光掩膜的感光底层区域中，该区域与CD偏差测定高于预先确定的目的值的晶片曝光域相关联，遮蔽元件衰减光通过该区域，从而修正了CD偏差。