| 发明名称 | 温度调控一维光子晶体产生动态光子晶体的方法 | ||
| 摘要 | 温度调控一维光子晶体产生动态光子晶体的方法，以加热炉连接在多层膜结构一维光子晶体上，当加热炉温度改变时，一维光子晶体的温度也发生改变，温度的改变导致膜层材料折射率发生改变，一维光子晶体的光子禁带位置随之发生偏移，形成动态光子晶体。本发明采用温度调制多层膜结构的一维光子晶体产生动态光子晶体，并不涉及二、三维光子晶体结构的制作和液晶材料的填充实验，通过温度调制膜层材料的折射率变化从而使光子带隙发生偏移，并有多种膜层材料可应用于本发明，大大降低了实验难度且灵活易行。 | ||
| 申请公布号 | CN1996100A | 申请公布日期 | 2007.07.11 |
| 申请号 | CN200610169886.8 | 申请日期 | 2006.12.30 |
| 申请人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明人 | 张晓玉;高洪涛;王长涛;邢廷文;姚汉民 |
| 分类号 | G02F1/01(2006.01);G02B6/122(2006.01);C30B5/00(2006.01);G02B1/00(2006.01) | 主分类号 | G02F1/01(2006.01) |
| 代理机构 | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人 | 贾玉忠;卢纪 |
| 主权项 | 1、温度调控一维光子晶体产生动态光子晶体的方法，其特征在于：将加热炉连接在多层膜结构一维光子晶体上，当加热炉温度改变时，一维光子晶体的温度也发生改变，温度的改变导致膜层材料折射率发生改变，一维光子晶体的光子禁带位置随之发生偏移，形成动态光子晶体。 | ||
| 地址 | 610209四川省成都市双流350信箱 | ||