半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。在现有的半导体装置中，存在构成分离区域的P型埋入扩散层的横向扩散宽度宽，而难以缩小装置尺寸的问题。本发明的半导体装置中，在P型单晶硅基板(6)上形成两层外延层(7)、(8)。在外延层(7)、(8)上，形成有构成分离区域(3)、(4)、(5)的P型埋入扩散层(43)、(44)、(45)及P型扩散层(46)、(47)、(48)。此时，P型埋入扩散层(43)、(44)、(45)自第一层外延层(7)的表面扩散而形成。通过该结构，P型埋入扩散层(43)、(44)、(45)的横向扩散宽度W1、W2、W3变窄，从而能够缩小NPN晶体管(1)的装置尺寸。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，其具有：一导电型半导体基板；在所述半导体基板上形成的逆导电型第一外延层；在所述第一外延层上形成的逆导电型第二外延层；将所述第一及第二外延层分为多个元件形成区域的一导电型分离区域；跨越所述半导体基板和所述第一外延层而形成的逆导电型埋入扩散层；构成所述分离区域、自所述第一外延层表面形成、与所述半导体基板连结的一导电型埋入扩散层；构成所述分离区域、自所述第二外延层表面形成、与所述一导电型埋入扩散层连结的一导电型第一扩散层；在所述第二外延层上形成、作为集电极区域使用的逆导电型第一扩散层；在所述第二外延层上形成、作为基极区域使用的一导电型第二扩散层；以及与所述一导电型第二扩散层重叠而形成、作为发射极区域使用的逆导电型第二扩散层。