N型差分式电场微传感器

摘要

N型差分式电场微传感器，由n沟道电场传感器、n沟道耗尽型金属氧化物半导体管、P型金属氧化物半导体管电流镜及N型金属氧化物半导体管组成，P型金属氧化物半导体管电流镜由2个P型金属氧化物半导体管组成，2个P型金属氧化物半导体管的源极相连接并与电源相连接，其栅极互连并与一个P型金属氧化物半导体管的漏极连接且与n沟道电场传感器的漏极连接，另一P型金属氧化物半导体管的漏极与n沟道耗尽型MOS管的漏极连接且该节点作为输出端，n沟道电场传感器的源极与n沟道耗尽型MOS管的源极连接并与N型金属氧化物半导体管的漏极连接，N型金属氧化物半导体管的源极接地，N型金属氧化物半导体管的栅极接偏置电压。

主权项

1、一种用于电场测试的N型差分式电场微传感器，其特征在于由n沟道电场传感器ENMOS1、n沟道耗尽型金属氧化物半导体管ENMOS’2、P型金属氧化物半导体管电流镜及N型金属氧化物半导体管NMOS5组成，P型金属氧化物半导体管电流镜由2个P型金属氧化物半导体管PMOS3、PMOS4组成，2个P型金属氧化物半导体管PMOS3、PMOS4的源极相连接并与电源Vdd相连接，其栅极互连并与其中一个P型金属氧化物半导体管PMOS3的漏极连接且该P型金属氧化物半导体管PMOS3的漏极与n沟道电场传感器ENMOS1的漏极连接，上述另一个P型金属氧化物半导体管PMOS4的漏极与n沟道耗尽型MOS管ENMOS’2的漏极连接且该节点作为输出端Vout，n沟道电场传感器ENMOS1的源极与n沟道耗尽型MOS管ENMOS’2的源极连接并与N型金属氧化物半导体管NMOS5的漏极连接，N型金属氧化物半导体管NMOS5的源极接地Vss，N型金属氧化物半导体管NMOS5的栅极接偏置电压Vb，其中n沟道电场传感器ENMOS1包括p型衬底(11)，在衬底(11)上设有共平面的两个重掺杂的n型接触区(13)，在重掺杂的n型接触区(13)上为金属引线(15)，在这两个重掺杂的n型接触区之间设有n型沟道(12)且分别与之相连，在n型接触区(13)及n型沟道(12)的表面设有SiO2层(14)。