具有较小的开口尺寸的双层阴影掩模及其制作和使用方法

摘要

本发明提供具有较小开口尺寸的双层阴影掩模及其制作和使用方法。本发明的双层阴影掩模适于用来在生产系统中经由沉积而制造电子器件。本发明的双层阴影掩模通过将较厚的第一掩模结合到相对较薄的第二掩模上而形成，其中第一掩模包括例如通过蚀刻而形成的多个开口，第二掩模通过电解工艺而形成，并且包括由光刻胶构图而形成的多个开口。在第一掩模上对准并结合第二掩模，并且希望它们各自的开口彼此偏移。双层阴影掩模的各自的开口的偏移量决定了最后获得的开口尺寸，最后获得的开口尺寸可以接近于0微米，在沉积生产系统中，可以穿过上述开口而在衬底上沉积材料。

主权项

1.一种阴影掩模，包括：第一层(110)，具有第一开口(114)，所述第一开口(114)穿过所述第一层(110)；以及第二层(112)，具有第二开口(122)，所述第二开口(122)穿过所述第二层(112)，所述第一层和所述第二层结合在一起，并且所述第一开口(114)的至少一部分与所述第二开口(122)的至少一部分对准，以限定出穿过所述第一层和所述第二层(110和112)的第三开口(130)。