发明名称 |
高压功率集成电路用少子环隔离结构 |
摘要 |
本发明公开了一种适用于外延工艺功率集成电路高压器件与低压器件之间的隔离的高压功率集成电路隔离结构,包括:P型衬底,在P型衬底上设有两块场氧化层,在P型衬底上设有重掺杂N阱且该重掺杂N阱位于两块场氧化层之间,在重掺杂N阱与P型衬底之间设有深N型阱且该深N型阱延伸至两块场氧化层的下方,上述重掺杂N阱与零电位相连接。本发明能够有效防止外延高压功率集成电路中寄生可控硅结构触发,且本发明中深N型阱是高压结构中用到的深阱,对衬底注入载流子的吸附效果要比普通低压N型阱结构好。 |
申请公布号 |
CN1996598A |
申请公布日期 |
2007.07.11 |
申请号 |
CN200610098371.3 |
申请日期 |
2006.12.15 |
申请人 |
东南大学 |
发明人 |
易扬波;孙伟锋;李海松;李杰;徐申;夏晓娟;时龙兴 |
分类号 |
H01L27/092(2006.01);H01L27/04(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/092(2006.01) |
代理机构 |
南京经纬专利商标代理有限公司 |
代理人 |
陆志斌 |
主权项 |
1、一种高压功率集成电路用少子环隔离结构,包括:P型衬底(1),在P型衬底(1)上设有两块场氧化层(2、3),其特征在于在P型衬底(1)上设有重掺杂N阱(4)且该重掺杂N阱(4)位于两块场氧化层(2、3)之间,在重掺杂N阱(4)与P型衬底(1)之间设有深N型阱(5)且该深N型阱(5)延伸至两块场氧化层(2、3)的下方,上述重掺杂N阱(4)与零电位相连接。 |
地址 |
210096江苏省南京市四牌楼2号 |