| 发明名称 | 半导体器件中减少氧化引入缺陷的应变补偿结构 | ||
| 摘要 | 一种应变补偿结构(112)，包括与氧化物形成层(106)相邻的应变补偿层(104)。应变补偿层(104)补偿由于至少部分氧化物形成层(106)氧化所引起的晶格参数的变化。 | ||
| 申请公布号 | CN1998116A | 申请公布日期 | 2007.07.11 |
| 申请号 | CN200580001466.2 | 申请日期 | 2005.02.24 |
| 申请人 | 安捷伦科技有限公司 | 发明人 | 阿施史·唐顿;迈克尔·霍华德·利里;迈克尔·赖奈·梯·泰恩;英－兰·昌 |
| 分类号 | H01S5/00(2006.01) | 主分类号 | H01S5/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王怡 |
| 主权项 | 1.一种发光器件(200)，包括：有源区(212)，被构造成响应注入的电荷产生光；电流限制结构(248)，被定位成引导电荷进入所述有源区域(212)中，其包括与氧化物形成层(106)相邻的应变补偿层(104)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||