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发明名称 GROWING METHOD OF SEMI-CONDUCTING SiC SINGLE CRYSTAL WITH LOW RESITIVITY
摘要
申请公布号 KR100738440(B1) 申请公布日期 2007.07.11
申请号 KR20060065464 申请日期 2006.07.12
申请人 发明人
分类号 H01L21/20;C30B29/08;C30B29/36 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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