发明名称 |
一种高温下稳定使用的铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法 |
摘要 |
一种在高温下稳定使用的铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法,属压电陶瓷领域。铋层状结构型压电陶瓷材料的化学通式为:Bi<SUB>2</SUB>O<SUB>2</SUB><SUP>2+</SUP>(A<SUB>m-1</SUB>B<SUB>m</SUB>O<SUB>3m+1</SUB>)<SUP>2</SUP>;其中CaBi<SUB>4</SUB>Ti<SUB>4</SUB>O<SUB>15</SUB>相应的化学式为:(Bi<SUB>2</SUB>O<SUB>2</SUB>)<SUP>2+</SUP>(CaBi<SUB>2</SUB>Ti<SUB>4</SUB>O<SUB>13</SUB>)<SUP>2+</SUP>,A位为Ca<SUP>2+</SUP>、Bi<SUP>3+</SUP>离子,B位为Ti<SUP>4+</SUP>离子,m=4。本发明的压电陶瓷材料采用传统固相反应法进行制备,可获得各种形状的压电陶瓷元件;材料的主要性能为:ε<SUB>33</SUB><SUP>T</SUP>/ε<SUB>0</SUB>=130,tanδ=0.10%,T<SUB>c</SUB>=782℃,d<SUB>33</SUB>=19pC/N,ρ<SUB>v(480℃)</SUB>=1×10<SUP>9</SUP>Ω·cm,且能在室温至480℃范围内反复使用。利用这类陶瓷元件组装成的各种压电传感器,可在高温条件下的测量、探测与自动控制等方面获得广泛应用。 |
申请公布号 |
CN1994966A |
申请公布日期 |
2007.07.11 |
申请号 |
CN200610147892.3 |
申请日期 |
2006.12.25 |
申请人 |
中国科学院上海硅酸盐研究所 |
发明人 |
李玉臣;包绍明;周志勇;姚烈;董显林 |
分类号 |
C04B35/462(2006.01);C04B35/475(2006.01);C04B35/622(2006.01) |
主分类号 |
C04B35/462(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1、一种高温下稳定使用的铋层状结构压电陶瓷材料,其配方为Ca1-x-a (NaBi)x/2BiTi4-y-zNbyWzO15+bmol%CeO2+cmol%Sb2O3+dmol%CoO,其中0.0≤x≤0.8,0.0≤y≤ 0.8,0.0≤z≤0.8,0.0≤a≤0.2,0.0≤b≤5,0.0≤c≤2.0,0.0≤d≤2.0。 |
地址 |
200050上海市定西路1295号 |