| 发明名称 |
纳米SiC颗粒复合CoSb<SUB>3</SUB>基热电材料及其制备方法 |
| 摘要 |
纳米SiC颗粒复合CoSb<SUB>3</SUB>基热电材料及其制备方法，属于新型能源材料技术领域。本方法是将Co、Sb以及掺杂元素单质粉末按照化学式：Co<SUB>1－x</SUB>M<SUB>x</SUB>Sb<SUB>3</SUB>+ySiC进行配料，然后通过球磨得到均匀的微细粉末。利用放电等离子烧结在250～600℃下反应合成具有纳米SiC颗粒分散的块体CoSb<SUB>3</SUB>基热电材料。该方法的特点在于：利用放电等离子烧结直接合成CoSb<SUB>3</SUB>相，并利用弥散分散的SiC抑制CoSb<SUB>3</SUB>的晶粒生长，最终得到具有细晶组织的纳米SiC分散的CoSb<SUB>3</SUB>基热电材料。弥散纳米颗粒和细晶组织能增加声子散射降低热导率，从而获得更好热电性能。同时，由于纳米颗粒弥散增强，而使其具有更好的机械和加工性能。 |
| 申请公布号 |
CN1995437A |
申请公布日期 |
2007.07.11 |
| 申请号 |
CN200610144006.1 |
申请日期 |
2006.11.24 |
| 申请人 |
清华大学;北京科技大学 |
发明人 |
李敬锋;刘玮书;张波萍 |
| 分类号 |
C22C45/00(2006.01);C22C1/05(2006.01);B22F3/16(2006.01);B22F9/04(2006.01);H01L35/18(2006.01);H01L35/34(2006.01) |
主分类号 |
C22C45/00(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
1.一种纳米SiC颗粒复合CoSb3基热电材料，其特征在于：该热电材料具有以下化学式：Col-xMxSb3+ySiC，其中：x的取值范围为0≤x≤0.3，0＜y≤2.0％，y为SiC占Co1-xMxSb3基体的质量百分数；M为掺杂过渡金属元素；所述的纳米SiC颗粒弥散分布于CoSb3基热电材料基体内。 |
| 地址 |
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