| 发明名称 | 改善半导体元件不同图案间关键尺寸一致性的方法与装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种改善半导体元件不同图案间关键尺寸一致性的方法与装置，其步骤是：提供一半导体基材，接着形成一层光致抗蚀剂层于该半导体基材之一表面上；提供一个掩模于半导体基材之上方，该掩模至少包含有一大型图案区、一小型图案区及一虚拟图案围绕在该小型图案区的周围；然后，提供一曝光光源并且使用该曝光光源与该掩模对该半导体基材进行曝光。最后，执行一显影步骤以形成数个光致抗蚀剂图案于该半导体基材之该表面上。本发明可以改善半导体元件大型图案与小型图案间之尺寸偏差。 | ||
| 申请公布号 | CN1326203C | 申请公布日期 | 2007.07.11 |
| 申请号 | CN200410001264.5 | 申请日期 | 2004.01.05 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 张庆裕 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01);H01L21/30(2006.01);G03F7/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/027(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 李树明 |
| 主权项 | 1.一种改善半导体元件不同图案间关键尺寸一致性的方法，其特征在于：至少包含下列步骤：提供一半导体基材；形成一光致抗蚀剂层于该半导体基材之一表面上；提供一掩模于该半导体基材之上方，该掩模至少包含有一大型图案区、一小型图案区及一围绕在该小型图案区周围的虚拟图案，该大型图案区具有一第一关键尺寸，该小型图案区具有一第二关键尺寸以及该虚拟图案具有一第三关键尺寸；提供一曝光光源；使用该曝光光源与该掩模对该半导体基材进行曝光；以及在该半导体基材的该表面上进行一显影步骤，形成数个光致抗蚀剂图案。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||