| 发明名称 | 局部硅－氧化物－氮化物－氧化物－硅结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种局部硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)结构及其制造方法。该局部SONOS结构具有两片栅极和自对准氧化物-氮化物-氧化物(ONO)结构，包括：衬底；ONO结构，在衬底上；第一栅极层，在ONO结构上并与其对准；栅极绝缘体，在ONO结构旁的衬底上；以及，第二栅极层，在第一栅极层上和栅极绝缘体上。第一和第二栅极层彼此电连接。ONO结构、第一和第二栅极层一同限定了至少1位局部SONOS结构。相应的制造方法包括：设置衬底；在衬底上形成ONO结构；在ONO结构上形成第一栅极层并且第一栅极层与ONO结构对准；在ONO结构旁的衬底上形成栅极绝缘体；在第一栅极层和栅极绝缘体上形成第二栅极层；以及电连接第一和第二栅极层。 | ||
| 申请公布号 | CN1326245C | 申请公布日期 | 2007.07.11 |
| 申请号 | CN200410001272.X | 申请日期 | 2004.01.05 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 裵金钟;李来寅;金相秀;金基喆;金辰熙;曹寅昱;金成浩;高光旭 |
| 分类号 | H01L27/105(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/8234(2006.01);H01L21/02(2006.01) | 主分类号 | H01L27/105(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种局部硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅结构，包括衬底；衬底上的氧化物-氮化物-氧化物结构；在氧化物-氮化物-氧化物结构上并与其对准的第一栅极层；在氧化物-氮化物-氧化物结构旁的衬底上的栅极绝缘体；以及在第一栅极层上和栅极绝缘体上的第二栅极层，第一和第二栅极层电连接在一起，衬底、氧化物-氮化物-氧化物结构、第一栅极层和第二栅极层限定了至少1位局部硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅结构。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||