发明名称 |
含可交联基质前体和致孔剂的组合物及由此组合物制成的多孔性基质 |
摘要 |
适用的可交联的基质前体和致孔剂可经处理形成Tg高于300℃、多孔性的交联基质。该多孔性基质材料较相应的非多孔性基质材料有较低的介电常数,因而这种多孔性基质材料特别适用于电子工业领域例如集成电路、多芯片模块及平板显示器件中。 |
申请公布号 |
CN1325560C |
申请公布日期 |
2007.07.11 |
申请号 |
CN99813649.2 |
申请日期 |
1999.11.22 |
申请人 |
陶氏环球技术公司 |
发明人 |
K·J·布鲁加;J·P·歌得夏尔克斯;E·O·歇弗二世;D·W·小史密斯;P·H·汤森德三世;K·J·布克;Q·S·J·牛 |
分类号 |
C08L65/00(2006.01);C08J9/26(2006.01) |
主分类号 |
C08L65/00(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
任宗华 |
主权项 |
1.一种组合物,该组合物包含:a)基质前体,和b)致孔剂,其中基质前体的选择要在固化时能形成Tg高于350℃的、交联的含烃材料,则该基质前体选自交联的聚亚芳基和苯并环丁烯基材料的前体,所述致孔剂是能在低于所述交联的含烃材料的热稳定性温度而高于基质达到完全固化定型的温度的温度下发生降解的聚合物,并选自基于苯乙烯的聚合物和其共聚物、聚亚烷基二醇、聚酰胺基胺、聚己内酯及其共聚物。 |
地址 |
美国密执安州 |