| 发明名称 | 一种对Si量子点掺杂的方法 | ||
| 摘要 | 本发明为一种对Si量子点掺杂的方法。具体是采用真空蒸发技术在已经制备好的嵌有Si量子点的SiO<SUB>2</SUB>薄膜表面上蒸镀一层CeF<SUB>3</SUB>薄膜，然后低温退火，使CeF<SUB>3</SUB>扩散到量子点周围，或量子点中。经本发明掺杂的Si量子点的荧光强度大为提高。本发明方法所用设备普通，工艺步骤简单，成本低廉。 | ||
| 申请公布号 | CN1326209C | 申请公布日期 | 2007.07.11 |
| 申请号 | CN200410025433.9 | 申请日期 | 2004.06.24 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 方应;陆明;章壮健 |
| 分类号 | H01L21/22(2006.01);C09K11/59(2006.01);H01L21/20(2006.01) | 主分类号 | H01L21/22(2006.01) |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 陆飞;沈云 |
| 主权项 | 1、一种对Si量子点掺杂的方法，其特征在于具体步骤如下：(1)将粉末状CeF3置于真空室坩埚内；(2)把制备好的嵌有Si量子点的SiO2薄膜作为基体，置于真空室样品架上；(3)抽真空，真空度不低于10-6Torr量级；(4)加热CeF3使其蒸发沉积到基体上形成CeF3薄膜，CeF3的掺杂浓度为0.001-4mo1％；(5)将制备好的样品放入石英管中，通N2气，在400-1100℃下退火30-180分钟。 | ||
| 地址 | 200433上海市邯郸路220号 | ||