发明名称 利用V-I探针识别的等离子体蚀刻终点检测方法
摘要 本发明披露了一种等离子体加工控制系统,包括:V-I探针,其用于有效检测等离子体加工室,其中该探针能够响应于射频(RF)电源(例如,约2MHz、约27MHz、或者约60MHz)而提供电参数;处理器,其耦合至和/或包括有能够提供用于每个电参数的谐波的可商购的探针产品;以及控制器,其耦接至处理器上,该处理器能够选择至少一种电参数和至少一种用于等离子体加工应用终点检测的相应谐波。电参数可以包括电压、相位、电流,而等离子体加工应用可以是介电蚀刻。根据本发明实施例的系统可以尤其适于在生产环境中介电蚀刻。
申请公布号 CN1998069A 申请公布日期 2007.07.11
申请号 CN200580010472.4 申请日期 2005.03.30
申请人 朗姆研究公司 发明人 阿芒·阿沃扬;弗朗索瓦·钱德拉塞克尔·达萨帕;布赖恩·麦克米林
分类号 H01L21/3065(2006.01);C23F1/00(2006.01) 主分类号 H01L21/3065(2006.01)
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人 余刚;张英
主权项 1.一种等离子体加工控制系统,包括:探针,耦接至等离子体加工室的电极和射频(RF)发生器上,其中,所述探针被构造成当所述RF发生器被激发时,提供与多种电参数相关的数据;处理器,耦接至所述探针上,并构造成为每一种所述多种电参数提供多种谐波;控制器,耦接至所述处理器上,并构造成选择所述多种电参数中预定的一种电参数以及用于等离子体加工步骤的终点检测的多种谐波中预定的一种谐波。
地址 美国加利福尼亚州