发明名称 多孔陶瓷的孔壁碳化硅涂层及其制备方法
摘要 本发明涉及一种多孔陶瓷的孔壁碳化硅涂层及其制备方法,属于多孔陶瓷的表面改性领域。其特征在于将欲改性的多孔陶瓷体置于浸渍罐内,抽真空后向浸渍罐内注入聚碳硅烷溶液,然后通入高压气体,使聚碳硅烷溶液在高压下完全进入多孔陶瓷的孔道,从而在孔壁上形成均匀的涂层。干燥后,浸渍体在氩气中高温处理,使聚碳硅烷裂解为碳化硅,得到多孔陶瓷的孔壁碳化硅涂层。通过多次浸渍-裂解,可以制备不同厚度的涂层。本发明所提供的涂层为β-SiC,适用于带互连孔隙结构,孔径在0.1微米,开口孔隙率大于30%的多孔陶瓷,如氧化铝多孔陶瓷、莫来石多孔陶瓷、氧化物结合的碳化硅或氮化硅多孔陶瓷或堇青石多孔陶瓷。
申请公布号 CN1994974A 申请公布日期 2007.07.11
申请号 CN200610147624.1 申请日期 2006.12.20
申请人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明人 丁书强;曾宇平;朱云洲;江东亮
分类号 C04B41/85(2006.01);C04B38/00(2006.01) 主分类号 C04B41/85(2006.01)
代理机构 上海智信专利代理有限公司 代理人 潘振甦
主权项 1、一种多孔陶瓷的孔壁碳化硅涂层,其特征在于所述的多孔陶瓷的基体为带有互连孔隙结构;涂层是由聚碳硅烷高温裂解的β-SiC组成。
地址 200050上海市长宁区定西路1295号
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