发明名称 | 多孔陶瓷的孔壁碳化硅涂层及其制备方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种多孔陶瓷的孔壁碳化硅涂层及其制备方法,属于多孔陶瓷的表面改性领域。其特征在于将欲改性的多孔陶瓷体置于浸渍罐内,抽真空后向浸渍罐内注入聚碳硅烷溶液,然后通入高压气体,使聚碳硅烷溶液在高压下完全进入多孔陶瓷的孔道,从而在孔壁上形成均匀的涂层。干燥后,浸渍体在氩气中高温处理,使聚碳硅烷裂解为碳化硅,得到多孔陶瓷的孔壁碳化硅涂层。通过多次浸渍-裂解,可以制备不同厚度的涂层。本发明所提供的涂层为β-SiC,适用于带互连孔隙结构,孔径在0.1微米,开口孔隙率大于30%的多孔陶瓷,如氧化铝多孔陶瓷、莫来石多孔陶瓷、氧化物结合的碳化硅或氮化硅多孔陶瓷或堇青石多孔陶瓷。 | ||
申请公布号 | CN1994974A | 申请公布日期 | 2007.07.11 |
申请号 | CN200610147624.1 | 申请日期 | 2006.12.20 |
申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 丁书强;曾宇平;朱云洲;江东亮 |
分类号 | C04B41/85(2006.01);C04B38/00(2006.01) | 主分类号 | C04B41/85(2006.01) |
代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 潘振甦 |
主权项 | 1、一种多孔陶瓷的孔壁碳化硅涂层,其特征在于所述的多孔陶瓷的基体为带有互连孔隙结构;涂层是由聚碳硅烷高温裂解的β-SiC组成。 | ||
地址 | 200050上海市长宁区定西路1295号 |