| 发明名称 | 永久性硅/氧化物/氮化物/硅/氮化物/氧化物/硅存储器 | ||
| 摘要 | 提供了一永久性硅/氧化物/氮化物/硅/氮化物/氧化物/硅(SONSNOS)存储器。该SONSNOS存储器包括堆叠在衬底通道上的第一和第二绝缘层，分别形成在第一绝缘层之上和第二绝缘层之下的第一和第二介电层，插入在第一和第二介电层间的一Ⅳ族半导体层，硅量子点，或金属量子点。该SONSNOS存储器提高了编程速率和存储能力。 | ||
| 申请公布号 | CN1326244C | 申请公布日期 | 2007.07.11 |
| 申请号 | CN03108490.7 | 申请日期 | 2003.04.14 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 蔡洙杜;金柱亨;金桢雨;蔡熙顺;柳元壹 |
| 分类号 | H01L27/105(2006.01) | 主分类号 | H01L27/105(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种硅/氧化物/氮化物/硅/氮化物/氧化物/硅存储器，其具有一半导体衬底，该半导体衬底包括被一预定距离隔离开的源极和漏极以及一用于在源极和漏极间移动电子的通道，一形成于半导体衬底上用于控制源于通道的电子的输入的栅极，该硅/氧化物/氮化物/硅/氮化物/氧化物/硅存储器包括：堆叠在衬底通道上且在该栅极下的第一和第二绝缘层；分别形成在第一绝缘层之上和第二绝缘层之下的第一和第二介电层；以及插入在第一和第二介电层间的一IV族半导体层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||