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Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement mit einem nichtflüchtigen Speicherbauelement und ein Verfahren zur Herstellung desselben. DOLLAR A Ein erfindungsgemäßes Halbleiterbauelement beinhaltet ein nichtflüchtiges Speicherbauelement (140), das auf einem Substrat (100) ausgebildet ist, ein erstes Auswahlbauelement (142), das auf dem Substrat an einer Seite des nichtflüchtigen Speicherbauelements ausgebildet ist, und einen floatenden Übergang (128), der in dem Substrat zwischen dem nichtflüchtigen Speicherbauelement und dem ersten Auswahlbauelement ausgebildet ist, wobei das erste Auswahlbauelement ein Gate (104p3) beinhaltet, das aus einer einlagigen leitfähigen Schicht gebildet ist. DOLLAR A Verwendung z.B. für EEPROM-Bauelemente.
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