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Ein Trockenreinigungsverfahren für eine Vorrichtung zum Abscheiden eines Dünnfilms, die einen Al-aufweisenden Metallfilm und einen Al-aufweisenden Metallnitridfilm abscheidet, ist geschaffen. Das Verfahren weist das Halten einer Temperatur innerhalb einer Kammer der Vorrichtung zum Abscheiden eines Dünnfilms bei 430 DEG C oder höher und das Reinigen des Inneren der Kammer durch Zuführen eines Reinigungsgases, das Cl¶2¶ aufweist, in die Kammer auf. Wenn es schwierig ist, die Temperatur innerhalb der Kammer bei 430 DEG C oder höher zu erhalten, weist das Verfahren das Reinigen des Inneren der Kammer unter Verwendung eines Reinigungsgases, das Cl¶2¶-Plasma aufweist, auf. Die Vorrichtung zum Abscheiden eines Dünnfilms, die einen Titanaluminiumnitrid- (TiAlN-)Film und einen Dünnfilm eines ähnlichen Typs abscheidet, kann dementsprechend ohne verbleibende Erzeugnisse und Teilchen effektiv gereinigt werden.
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