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Hierin wird ein Polymer für eine Hartmaske und eine Zusammensetzung, die selbige enthält, offenbart, die bei der Herstellung von Halbleitervorrichtungen der nächsten Generation nützlich sein können. Es wird ein Polyamidsäurefilm durch ein Rotationsbeschichtungsverfahren und ein zusätzliches Wärmeverfahren ausgebildet und als Hartmaske verwendet, wenn ein Muster einer darunter liegenden Schicht einer Halbleitervorrichtung unter Verwendung einer Polyamidsäure mit hoher Wärmebeständigkeit ausgebildet wird, wodurch das Ätzen von feinen Mustern erleichtert wird.
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