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发明名称 Methode, einen Platinfilm in einer Halbleiteranordnung zu ätzen
摘要
申请公布号 DE69837301(T2) 申请公布日期 2007.07.05
申请号 DE19986037301T 申请日期 1998.01.27
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. 发明人 KIM, HYOUN-WOO;NAM, BYEONG-YUN;JU, BYONG-SUN;YOO, WON-JONG
分类号 C23F4/00;H01L21/3213;H01L21/285;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/8242;H01L27/108 主分类号 C23F4/00
代理机构 代理人
主权项
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