制造内层多晶硅介电层的方法

摘要

本发明公开了一种制造内层多晶硅介电层的方法，经由形成一覆盖在一存储器单元的浮动栅极及一非位于该浮动栅极上的氧化物生长区域上的氧化物-氮化物介电层而制造的浮动栅极存储器单元，使用一掩膜保护在浮动栅极上的氮化层以去除在氧化物生长区域上的氮化层，之后使用一对残留在浮动栅极上的氮化层不会发生作用的湿蚀刻去除在氧化物生长区域上的底部氧化层，随后第一和第二氧化层形成在浮动栅极及氧化物生长区域二者之上，以作为在浮动栅极上ONO的顶层及在氧化物生长区域上的栅极氧化物，第一和第二氧化层的其中之一是使用原位蒸气产生法所形成。

主权项

权利要求书1.一种制造内层多晶硅介电层的方法，包括下列步骤：在存储器单元的浮动栅极及一非位于该浮动栅极上的氧化物生长区域之上形成一介电层，该介电层包括一氮化硅层及一在该氮化硅层底下的底部氧化层；使用一掩膜覆盖在该浮动栅极上的该氮化硅层以去除在该氧化物生长区域上的该氮化硅层；去除在该氧化物生长区域上的该底部氧化层；以及在该浮动栅极及该氧化物生长区域上形成一第一氧化层，以及在覆盖该浮动栅极及该氧化物生长区域的该第一氧化层上形成一第二氧化层，该第一及第二氧化层其中之一是以原位蒸气产生法所形成。