| 发明名称 | 用于形成铁电薄膜的组合物、铁电薄膜以及铁电薄膜的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了能够有效地防止条痕的产生，并且能够扩大溶胶组合物选择范围的用于形成铁电薄膜的组合物、铁电薄膜以及铁电薄膜的制造方法。通过使含有作为铁电薄膜形成材料的金属化合物的用于形成铁电薄膜的组合物包含下述的疏水性化合物，可以有效地抑制条痕的产生，并能够扩大溶胶组合物的选择范围，其中所述疏水性化合物具有与羟基反应的反应基团，同时除所述反应基团之外的余下部分的至少端部侧具有疏水性。 | ||
| 申请公布号 | CN1323979C | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200410062547.0 | 申请日期 | 2004.06.30 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 角浩二 |
| 分类号 | C04B35/00(2006.01);C04B35/632(2006.01);C01G57/00(2006.01) | 主分类号 | C04B35/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 柳春雷 |
| 主权项 | 权利要求书1.一种用于形成铁电薄膜的组合物，含有作为形成铁电薄膜的材料的金属化合物，其特征在于，包含疏水性化合物，所述疏水性化合物具有从卤代硅烷基、羟基硅烷基、以及烷氧基硅烷基所构成的组中选出的至少一种与羟基反应的反应基团，同时除所述反应基团之外的余下部分的至少端部侧具有疏水性。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||