| 发明名称 | 具有垂直分裂栅结构的闪存装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开一种具有垂直分裂栅结构的闪存装置及其制造方法。该闪存装置包括：第一沟槽，形成于半导体衬底的有源区中，并且包括一对相对的侧壁；第二沟槽，形成于该第一沟槽的中间，从而比该第一沟槽深，并且包括一对相对的侧壁；一对相对的浮置栅极，沿该第一沟槽的该对侧壁形成；一对相对的控制栅极，沿成对的浮置栅极160a的该对侧壁以及沿该第二沟槽的该对侧壁形成；共同源极扩散区，形成于该对控制栅极下方的有源区中；漏极扩散区，形成于邻近该对浮置栅极的有源区中；和共同源线，电连接于该共同源极扩散区，并在该对控制栅极之间形成。 | ||
| 申请公布号 | CN1992233A | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200610170189.4 | 申请日期 | 2006.12.25 |
| 申请人 | 东部电子股份有限公司 | 发明人 | 金成诊 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01);H01L27/115(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1.一种具有垂直分裂栅结构的闪存装置的制造方法，该方法包括以下步骤：(a)在半导体衬底的有源区形成包括一对相对侧壁的第一沟槽；(b)分别在该第一沟槽的该对侧壁上形成一对相对的浮置栅极；(c)在该对浮置栅极之间暴露的第一沟槽中间处形成包括一对相对侧壁的第二沟槽；(d)在成对的浮置栅极160a的该对侧壁和该第二沟槽的该对侧壁上形成一对相对的控制栅极；(e)在该对控制栅极之间暴露的第二沟槽底部形成共同源极扩散区；以及(f)在邻近于该对浮置栅极邻近的有源区中形成漏极扩散区。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||