| 发明名称 | 用于制造闪存单元的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于制造闪存单元的方法，该闪存单元的浮置栅极和控制栅极由于栅极电容增大而具有增大的耦合比。通过减小用于限定栅极区域的光致抗蚀剂图案中凹槽的宽度，从而增大了栅极的尺寸。通过采用倾斜蚀刻工艺形成光致抗蚀剂图案，从而减小了凹槽的宽度。 | ||
| 申请公布号 | CN1992174A | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200610172438.3 | 申请日期 | 2006.12.27 |
| 申请人 | 东部电子股份有限公司 | 发明人 | 金泰浩 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1.一种用于制造闪存单元的方法，该方法包括以下步骤：在具有器件隔离层的半导体衬底的上方沉积第一氧化物层；在该第一氧化物层的上方沉积第一多晶硅层；在该第一多晶硅层的上方形成浮置栅极光致抗蚀剂图案；通过光致抗蚀剂回流工艺，倾斜蚀刻该光致抗蚀剂图案；通过沿被倾斜蚀刻的光致抗蚀剂图案蚀刻该第一多晶硅层和该第一氧化物层以露出该隔离层，从而形成浮置栅极；除去该光致抗蚀剂图案；以及通过在该半导体衬底和该浮置栅极的上方依次沉积第二氧化物层和第二多晶硅层，从而形成控制栅极。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||