| 发明名称 | 图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种图像传感器。该图像传感器包括半导体衬底、光电二极管区、栅电极、伪栅以及层间介电层。该半导体衬底包括场氧化层。该光电二极管区形成于该半导体衬底上。该栅电极形成于该半导体衬底上。该伪栅形成于该场氧化层上。该层间介电层形成于该伪栅的一侧上且包括露出该光电二极管区的一部分的开口。 | ||
| 申请公布号 | CN1992307A | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200610170173.3 | 申请日期 | 2006.12.25 |
| 申请人 | 东部电子股份有限公司 | 发明人 | 金荣植 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1.一种图像传感器，包括：半导体衬底，其包括场氧化层；光电二极管区，其形成于该半导体衬底上；栅电极，其形成于该半导体衬底上；伪栅，其形成于该场氧化层上；以及层间介电层，其形成于该伪栅的一侧上且包括露出该光电二极管区的一部分的开口。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||