| 发明名称 | 半导体装置的制造方法和等离子体氧化处理方法 | ||
| 摘要 | 在利用等离子体处理装置(100)对栅电极进行选择性氧化处理时，将形成有栅电极的晶片(W)载置于腔室(1)内的基座(2)上，由气体供给系统(16)的Ar气供给源(17)、H<SUB>2</SUB>气供给源(18)和O<SUB>2</SUB>气供给源(19)，经气体导入部件(15)，按照H<SUB>2</SUB>气和O<SUB>2</SUB>气的流量比H<SUB>2</SUB>/O<SUB>2</SUB>为1.5～20，优选为4以上，更优选为8以上，将Ar气、H<SUB>2</SUB>气和O<SUB>2</SUB>气导入腔室(1)内，维持腔室内压力为3～700Pa，例如6.7Pa(50mTorr)。 | ||
| 申请公布号 | CN1993813A | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200580026757.7 | 申请日期 | 2005.08.11 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 壁义郎;佐佐木胜 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/316(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，利用由具有多个缝隙的平面天线向处理室内导入微波而产生等离子体的等离子体处理装置，使用含有氢气和氧气的处理气体，对至少具有多晶硅层和以高熔点金属为主要成分的金属层的叠层体进行等离子体处理，在所述多晶硅层上形成氧化膜。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||