| 发明名称 | 晶体管的光能对电能转换驱动电路 | ||
| 摘要 | 一种晶体管的光能对电能转换驱动电路，为由电能驱动发光元件或环境光源等以激发与其耦合的光能对电能转换元件产生正电压电能，供驱动场效应型晶体管(MOSFET)或绝缘闸双载子晶体管(IGBT)，或其他高输入阻抗型晶体管，同时由正电压电能对随动型负电压供给电路装置储存电能，当正电压讯号截止时，产生对一个或一个以上的高阻抗晶体管闸极及射极输入负电压以利截止。 | ||
| 申请公布号 | CN1324551C | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN01136851.9 | 申请日期 | 2001.10.29 |
| 申请人 | 杨泰和 | 发明人 | 杨泰和 |
| 分类号 | G09G3/32(2006.01) | 主分类号 | G09G3/32(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李强 |
| 主权项 | 权利要求书1、一种晶体管的光能对电能转换驱动电路，其特征在于：通过匹配电能发光元件及与其耦合的光能对电能转换元件，可在受光时产生微电流的电压型驱动电能，供输往高输入阻抗型晶体管的闸极(GATE)与射极(EMITTER)作驱动导通，并同时借驱动用的正电压电能对随动型负电压供给电路装置储存电能，供在截止时，产生对一个或一个以上的高阻抗晶体管闸极及射极输入负电压以利截止；其中，所述电能发光元件包括LED、灯泡、其他电能转光能的发光元件或环境自然光源；所述光能对电能转换元件包括晶系或非晶系光能对电能池；所述高输入阻抗型晶体管包括微型或功率型场效应型晶体管(MOSFET)或绝缘闸双载子晶体管(IGBT)或其他高输入阻抗型晶体管或模组。 | ||
| 地址 | 台湾省彰化县 | ||