| 发明名称 | 干蚀刻方法、微细结构形成方法、模板及模板的制造方法 | ||
| 摘要 | 用由含氯原子的气体生成的等离子体50对WC基板7进行蚀刻。 | ||
| 申请公布号 | CN1993303A | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200680000516.X | 申请日期 | 2006.05.23 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 中川秀夫;屉子胜;村上友康 |
| 分类号 | C04B41/91(2006.01);C23F4/00(2006.01);G02B6/13(2006.01);C03B11/00(2006.01) | 主分类号 | C04B41/91(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种干蚀刻方法，其特征在于：使用由含氯原子的气体生成的等离子体对含钨和碳的物体进行蚀刻。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||