| 发明名称 | 半导体器件以及该半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件及该半导体器件的制造方法。该半导体器件包括：下电极；触点，其连接至该下电极以具有双沟槽结构；相变材料层，其容置在该双沟槽中以根据由该触点传递的热的变化产生晶态和非晶态之间的相变；以及上电极，其连接至该相变材料层。 | ||
| 申请公布号 | CN1992368A | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200610170186.0 | 申请日期 | 2006.12.25 |
| 申请人 | 东部电子股份有限公司 | 发明人 | 崔基峻 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01);H01L27/24(2006.01);G11C11/56(2006.01);G11C16/02(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其包括：下电极；触点，其连接至该下电极并具有双沟槽结构；相变材料层，其容置在该双沟槽中以根据该触点传递的热的变化产生晶态和非晶态之间的相变；以及上电极，其连接至该相变材料层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||