| 发明名称 | CMOS图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种CMOS图像传感器的制造方法，根据该方法，在半导体衬底上形成绝缘层；且在该绝缘层上形成金属焊盘；在包括该金属焊盘的绝缘层上形成第一覆盖层；选择性地去除该第一覆盖层以暴露出该金属焊盘的一部分；在暴露的该金属焊盘和该第一覆盖层上形成保护层；在该保护层上形成滤色镜阵列；以及在该滤色镜阵列和该保护层上形成第二覆盖层；选择性地去除该第二覆盖层以形成光电二极管区；在余留的第二覆盖层上进行等离子体处理。 | ||
| 申请公布号 | CN1992311A | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200610170187.5 | 申请日期 | 2006.12.25 |
| 申请人 | 东部电子股份有限公司 | 发明人 | 金荣实 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1.一种互补金属氧化物半导体图像传感器，其包括：绝缘层，其形成在半导体衬底上；金属焊盘，其形成在该绝缘层上；第一覆盖层，其形成在该绝缘层上，以露出该金属焊盘的一部分；保护层，其形成在该第一覆盖层上；滤色镜阵列，其形成在该保护层上；第二覆盖层，其形成在该滤色镜阵列上并具有等离子体处理的表面；以及微透镜，其形成在该第二覆盖层上。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||