CMOS图像传感器及其制造方法

摘要

本发明提供了一种互补型金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。CMOS图像传感器包括半导体衬底、层间绝缘层、滤色层、覆盖层和多个微透镜。该半导体衬底包括多个恒定间隔的光电二极管和晶体管；该层间绝缘层形成在该半导体衬底的整个表面上；该滤色层形成在该层间绝缘层上，并且该滤色层的各滤色镜与各光电二极管相对应；该覆盖层与每一光电二极管相对应的部分具有弧形的沟槽且形成在该半导体衬底的整个表面上；每一微透镜具有凸透镜形状并形成于该沟槽内。

主权项

1.一种互补型金属氧化物半导体图像传感器，包括：半导体衬底，其包括多个恒定间隔的光电二极管和晶体管；层间绝缘层，其形成在该半导体衬底的整个表面上；滤色层，其形成在该层间绝缘层上，该滤色层的各滤色镜与各光电二极管相对应；覆盖层，其与每一光电二极管相对应的部分具有弧形的沟槽且形成在该半导体衬底的整个表面上；以及多个微透镜，每一微透镜具有凸透镜形状并形成于该沟槽内。