CMOS图像传感器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法，其通过在微透镜和光电二极管之间形成反射层来增强聚光功能，从而改善图像传感器的灵敏度。该CMOS图像传感器包括：多个光电二极管，其形成在半导体衬底上；第一层间介电层，其形成在包括所述光电二极管的该半导体衬底的整个表面上；反射层，其形成在该第一层间介电层上，且使该反射层具有对应于所述光电二极管的多个开口；第二层间介电层，其形成在包括该反射层的第一层间介电层的整个表面上；多个滤色层，其形成在该第二层间介电层上且相互之间形成规律的间隔；平坦化层，其形成在包括所述滤色层的该半导体衬底的整个表面上；以及多个微透镜，其形成在该平坦化层上，各微透镜对应于各光电二极管设置。

主权项

1.一种CMOS图像传感器，其包括：多个光电二极管，其形成在半导体衬底上且使所述多个光电二级管之间形成规律的间隔；第一层间介电层，其形成在包括所述光电二极管的该半导体衬底的整个表面上；反射层，其形成在该第一层间介电层上且使该反射层具有对应于所述光电二极管的多个开口；第二层间介电层，其形成在包括该反射层的该第一层间介电层的整个表面上；多个滤色层，其形成在该第二层间介电层上且使所述多个滤色层之间形成规律的间隔；平坦化层，其形成在包括所述滤色层的该半导体衬底的整个表面上；以及多个微透镜，其形成在该平坦化层上，所述多个微透镜分别对应于所述多个光电二极管设置。