| 发明名称 | 半导体器件中的电容器及制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件中的电容器，包括：衬底；下部电极，其形成于所述衬底上方；扩散阻挡层，其形成于所述下部电极上方；多个团块，其形成于所述扩散阻挡层上方；介电层，其形成于所述团块的表面上方以形成不平坦的表面；以及上部电极，其形成于所述介电层上方。 | ||
| 申请公布号 | CN1992353A | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200610172434.5 | 申请日期 | 2006.12.27 |
| 申请人 | 东部电子股份有限公司 | 发明人 | 李载晰 |
| 分类号 | H01L29/92(2006.01);H01L27/02(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L29/92(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1.一种电容器，包括：衬底；下部电极，其形成于所述衬底上方；扩散阻挡层，其形成于所述下部电极上方；多个团块，其形成于所述扩散阻挡层上方； 介电层，其覆盖着所述团块并因所述团块而具有不平坦的表面；以及上部电极，其形成于所述介电层上方。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||