| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了这样一种半导体器件及其制造方法，它在不导致形成控制栅电极过程中的未对准问题并且不产生控制栅电极与浮动栅电极之间的泄漏的情况下以自对准方式形成。该半导体器件包括半导体膜、该半导体膜上的第一栅绝缘膜、该第一栅绝缘膜上的浮动栅电极、覆盖该浮动栅电极的第二栅绝缘膜、以及该第二栅绝缘膜上的控制栅电极。该控制栅电极被形成为覆盖该浮动栅电极，并且它们之间插入第二栅绝缘膜，该控制栅电极设有侧壁，且该侧壁形成于控制栅电极中由于浮动栅电极而产生的阶梯部分上。 | ||
| 申请公布号 | CN1992351A | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200610167595.5 | 申请日期 | 2006.12.25 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 浅见良信 |
| 分类号 | H01L29/788(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L29/788(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 侯颖媖 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：半导体；所述半导体上的第一栅绝缘膜；所述第一栅绝缘膜上的浮动栅电极；覆盖所述浮动栅电极的第二栅绝缘膜；以及所述第二栅绝缘膜上的控制栅电极；以及所述控制栅电极上的侧壁，其中所述控制栅电极被形成为覆盖所述浮动栅电极，并且它们之间插入所述第二栅绝缘膜，以及所述侧壁形成于所述控制栅电极中由于所述浮动栅电极而产生的阶梯部分上。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||