发明名称 SOURCE REAGENT COMPOSITION FOR CVD FORMATION OF Zr/Hf DOPED GATE DIELECTRIC AND HIGH DIELECTRIC CONSTANT METAL OXIDE THIN FILMS AND METHOD OF USING SAME
摘要
申请公布号 EP1392462(A4) 申请公布日期 2007.07.04
申请号 EP20020719015 申请日期 2002.02.19
申请人 ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC. 发明人 BAUM, THOMAS, H;XU, CHONGYING;PAW, WITOLD;HENDRIX, BRIAN, C;ROEDER, JEFFREY, F;WANG, ZIYUN
分类号 C07C49/92;C07F7/00;C07F7/08;C09D1/00;C23C16/40 主分类号 C07C49/92
代理机构 代理人
主权项
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