形成导热性改善的应变硅材料的方法

摘要

公开了一种用于在SiGe上形成应变硅层的方法，其中SiGe层具有改善的导热性。在第一淀积步骤中，在衬底(10)上淀积Si或者Ge的第一层(41)；在第二淀积步骤中，在所述第一层上淀积另一种元素的第二层(42)；重复所述第一淀积步骤和第二淀积步骤，以形成具有多个Si层和多个Ge层(41－44)的组合SiGe层(50)。各Si层和各Ge层各自的厚度依据所希望的组合SiGe层的组成比确定。所述组合SiGe层(50)的特征在于Si和Ge的数字化合金具有优于Si和Ge的无序合金的导热性。该方法可以进一步包括在组合SiGe层(50)上淀积Si层(61)的步骤，所述组合SiGe层的特征在于是松弛的SiGe层，而所述Si层(61)是应变硅层。为了在SiGe层中获得更好的导热性，所述第一层和所述第二层的淀积可以使得每一层都基本上由单一同位素组成。

主权项

1.一种在衬底(10)上形成SiGe层的方法，包括以下步骤：在第一淀积步骤中淀积Si和Ge中的一种的第一层(41)；在第二淀积步骤中，在所述第一层上淀积Si和Ge中的另一种的第二层(42)；以及，重复所述第一淀积步骤和第二淀积步骤，以形成具有多个Si层和多个Ge层(41-44)的组合SiGe层(50)，其中，各Si层和各Ge层各自的厚度依据组合SiGe层(50)的所希望的组成比确定，并且，所述组合SiGe层(50)的特征在于是具有优于Si和Ge的无序合金的导热性的Si和Ge的数字化合金。