发明名称 温度检测电路和温度检测方法
摘要 本发明涉及一种温度检测电路,其特征是,具备生成温度依存电压(VR)的温度依存电压生成电路(3)、生成非温度依存电压(VBG)的带隙电路(2)、对由所述温度依存电压(3)生成电路生成的温度依存电压(VR)和由所述带隙电路(2)生成的非温度依存电压(VBG)进行比较并基于所述比较的结果输出表示所述温度依存电压(VR)与所述非温度依存电压(VBG)的高低关系的温度检测信号的比较电路(4),其中,所述带隙电路(2)具有:源极连接在所述比较电路(4)的输入端子,提供具有正的温度特性的电流的N沟道晶体管和使所述N沟道晶体管的源极的电位成为不依存于所述测定对象物的温度的一定的电位的驱动所述N沟道晶体管的栅极的放大器(41)。
申请公布号 CN1991319A 申请公布日期 2007.07.04
申请号 CN200610156576.2 申请日期 2006.12.28
申请人 TDK株式会社 发明人 千里内忠雄;五木田刚男
分类号 G01K7/01(2006.01) 主分类号 G01K7/01(2006.01)
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人 龙淳
主权项 1.一种温度检测电路,其特征在于,具备:生成依存于测定对象物的温度的温度依存电压的温度依存电压生成电路;生成不依存于所述测定对象物的温度的非温度依存电压的带隙电路;和对由所述温度依存电压生成电路生成的温度依存电压和由所述带隙电路生成的非温度依存电压进行比较,并基于所述比较结果输出表示所述温度依存电压与所述非温度依存电压的高低关系的温度检测信号的比较电路,其中,所述带隙电路具有:源极与所述比较电路的输入端子连接、提供具有正的温度特性的电流的N沟道晶体管;和以使所述N沟道晶体管的源极的电位成为不依存于所述测定对象物的温度的一定的电位的方式驱动所述N沟道晶体管的栅极的控制电路。
地址 日本东京