发明名称 |
具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置 |
摘要 |
本发明公开了一种具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置,通过使包括于形成在驱动电路部分和像素部分的有源沟道区中的薄膜晶体管中的晶界数不同,提供了具有改善特性的平板显示装置。这可以通过使形成于像素部分中的开关和驱动薄膜晶体管的有源沟道区中的多晶硅薄膜中包括不同的晶界数;以及通过对于每个红、绿和蓝色像素部分的驱动和像素部分,薄膜晶体管的有源沟道区中形成的多晶硅中包括的晶界数不同而实现。另外,这可以通过使形成于用于形成平板显示装置中的CMOS晶体管的NMOS和PMOS薄膜晶体管的有源沟道区中形成的多晶硅中包括不同的晶界数,由此形成对每个晶体管都获得改善特性薄膜晶体管而实现。 |
申请公布号 |
CN1324540C |
申请公布日期 |
2007.07.04 |
申请号 |
CN200410005025.7 |
申请日期 |
2004.02.12 |
申请人 |
三星SDI株式会社 |
发明人 |
朴志容;李乙浩;具在本;李基龙;朴惠香 |
分类号 |
G09F9/30(2006.01);G09G3/00(2006.01);H01L21/00(2006.01);H01L29/786(2006.01);G02F1/136(2006.01) |
主分类号 |
G09F9/30(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯宇 |
主权项 |
权利要求书1.一种具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置,包括:像素部分,分为栅极线和数据线,并且配备有由通过栅极线和数据线供给的信号驱动的薄膜晶体管;以及驱动电路部分,包括一个或更多个分别与栅极线和数据线连接从而为像素部分提供信号的薄膜晶体管,其中,对于每单位面积的有源沟道,形成在所述一个或更多个安装于驱动电路部分的薄膜晶体管的有源沟道区中并与电流方向线相交的多晶硅晶界的平均数比形成在安装于像素部分的薄膜晶体管的有源沟道区中并与电流方向线相交的多晶硅晶界的平均数少至少一个或更多个。 |
地址 |
韩国京畿道 |